【摘 要】
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干法刻蚀从简单的去胶和有机物灰化这样的刻蚀初始阶段,经过了各种材料刻蚀工艺条件的选择和提高刻蚀图形的精确性、选择性等第二阶段,目前已发展到了第三阶段。在这个阶段里
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干法刻蚀从简单的去胶和有机物灰化这样的刻蚀初始阶段,经过了各种材料刻蚀工艺条件的选择和提高刻蚀图形的精确性、选择性等第二阶段,目前已发展到了第三阶段。在这个阶段里,刻蚀损伤和表面污染等问题为人们所重视,各种机械方面的要求(如晶片传送机构的可靠性)正在得到满足,并且获得了可控的倾斜刻蚀。在各个阶段中,相继出现了种类繁多的干法刻蚀结构。实际上,按刻蚀机理划分可以归纳出五种:物理刻蚀、化学刻蚀、化学与物理刻蚀、光与化学刻蚀、电子束与化学刻蚀。现阶段基于化学与物理机理的反应离子刻蚀结构得到了广泛应用,看来在未来相当一段时间内它将继续占据优势地位。而有前途的是基于光与化学机理和电子束与化学机理的刻蚀结构。
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