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本文通过致发光（ＰＬ）测试发现了ＮＨ３流量的大小对以ＧａＡｓ（１００）为衬底生长立方相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ晶体性质的影响的规律，ＮＨ３流量愈少，立方相ＡｌＧａＮ的纯度愈高，而且，其发光峰的位置向短波长方向移动，在同一样品中ＮＨ３气流的下游的晶体纯度高于上游，而且其发光峰的位置向短波长方向移动，选择合适性的生长条件，制备出纯度较高的立方相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ晶体，并对实验结果进行了简单的讨论。