CVI制备C／Si3N4复合材料及其表征

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：playchild

【摘要】

：

以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4

【作者】

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刘永胜成来飞张立同徐永东刘谊

【机构】

：

西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

化学气相渗透(CVI) C/Si3N4复合材料微观结构工艺参数 chemical vapor infiltration （CVI） C/Si3N4 com

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以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变为晶态的α-Si3N4和β-Si3N4.渗透温度、渗透时间、气体流量对试样致密化、增重及微观结构的影响研究表明渗透温度为900℃、SiCl4流量为30mL/min、H2流量为100mL/min、NH3流量为80mL/min、渗透时间120h、系统

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