【摘 要】
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在对体硅CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上,提出了高温体硅CMOS倒相器结构参数设计的考虑,给出了宽温区(27～250 ℃)体硅CMOS倒相器优化设计
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在对体硅CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上,提出了高温体硅CMOS倒相器结构参数设计的考虑,给出了宽温区(27～250 ℃)体硅CMOS倒相器优化设计的结果.模拟验证表明,所设计的体硅CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标:输出高电平VoH＞4.95 V,输出低电平VoL＜0.05 V,转换电平Vi(27 ℃)＝2.5 V,Vi(250℃)＝2.4 V,上升时间tr(27 ℃)＜110 ns,tr(250 ℃)＜180 ns,下降时间tf(27 ℃)＜110
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