栅结漏电流对GaAsMMIC中平面肖特基二极管C—V特性的影响

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构造了考虑栅结漏电流影响的平面肖特基二极管电容计算模型,并用此模型对同一结构不同漏电流的肖特基二极管作了计算分析,计算结果显示,所构造模型与实验结果符合得很好,同时揭示出栅结漏电流对C-V特性克有影响。这种影响表现为,在一定的栅压范围内,随着栅结电流的增大,C-V曲线明显上抬,文中还与其它未考虑栅结漏电流影响的模型作了对比。
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