【摘 要】
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00585 Ultra Broadband MEMS Switch on Silicon and GaAs Substrates/R. Chan, R. Lesnick, D. Caruth et al (University of Illinois, USA)//GaAs MANTECH Conference. 2
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00585 Ultra Broadband MEMS Switch on Silicon and GaAs Substrates/R. Chan, R. Lesnick, D. Caruth et al (University of Illinois, USA)//GaAs MANTECH Conference. 2003.—25 报导了高可靠dc～110 GHz低压毫米波GaAs与Si衬底MEMS开关的性能。当频率高至110GHz,该开关插损小于6dB,隔离度大于15dB,开关寿命大于6.9×10~9循环。文章还介绍了实现超宽带性能及高可靠性所采用的设计方法和制造方法。
Chan, R. Lesnick, D. Caruth et al (University of Illinois, USA) // GaAs MANTECH Conference. 2003.-25 reported a high reliability dc ~ 110 GHz low voltage Performance of Millimeter Wave GaAs and Si Substrate MEMS Switches. When the frequency is high to 110GHz, the switch insertion loss is less than 6dB, the isolation is greater than 15dB, the switch life is greater than 6.9 × 10 ~ 9 cycles. The article also describes the design methods and manufacturing methods used to achieve ultra-wideband performance and high reliability.
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