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目前半导体制造技术已经进入0．13μm、300mm时代，随着硅片尺寸的增大以及特征线宽的减小．作为目前硅片超精密平坦化加工的主要手段-化学机械平坦化，已经成为IC制造技术中不可缺少的技术。介绍了在化学机械抛光过程中，可以通过抛光头与抛光台运动速度关系优化配置，降低晶片表面不均匀度，从而更好地实现晶片局部和全局平坦化。