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应用射频磁控溅射工艺在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。对影响PZT薄膜性能、形貌的工作气压、基片温度、氧／氩＋氧之比、溅射功率、退火温度5个主要因素进行分析，在其允许范围和精度内设置5个水平，并根据均匀设计理论对该5因素及5水平进行均匀设计。不同温度下退火之后测定了PZT薄膜的厚度、SEM表面形貌、电容、介电损耗、电滞回线（包括矫顽场强、饱和极化强度、剩余极化强度）等。最后对响应结果进行多元二次线性回归，得出了回归方程。探讨达到最优化薄膜特性所需要的工艺条件。