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通过理论分析与计算机仿真方法对1200 V 4H-碳化硅（SiC）结势垒肖特基（JBS）二极管进行了设计与研究，实现了1200V／2A，1200V／5A及1200V／30A三种等级管芯的研制。鉴于非均匀场限环（FLR）保护效率存在对工艺偏差敏感的问题，所设计各电流等级的管芯均采用均匀FLR作为终端结构。经测试，所研制管芯在反偏压为1200V时，漏电流均不大于3／xA，且1200V／2A，1200V／5A及1200V／30A三种等级管芯的通态电阻分别为790mΩ，360mΩ及59．3mΩ。