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本文研究了硅表面微机械加工薄膜的形成工艺及技术。通过调整各种薄膜生长、掺杂以及退火的条件,得到了较低的薄膜残余应力(LPCVD多晶硅膜30MPa压应力,LPCVD富硅氮化硅膜和PECVD氮化硅膜约100MPa张应力,A1膜在30MPa范围内由压应力到张应力变化)。另外,采用了复合膜和纹膜技术,用于大幅度地降低薄膜应力,取得了预计的结果。