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采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压.与LDD、硅化物工艺相合,已研制出0.5μm的CMOS 27级环振电路,门延迟为130ps.
采用多次离子注入调整亚微米CMOS电路的阈电压
【摘 要】
：
采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压
【机 构】
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航空航天部骊山微电子学研究所,航空航天部骊山微电子学研究所陕西临潼710600,陕西临潼710600,陕西临潼710600
【出 处】
：
微电子学与计算机
【发表日期】
：
1993年5期
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