【摘 要】
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<正> Si_3N_4和AlN薄膜被广泛应用于微电子和光学领域,它们大多是利用CVD方法在基片温度高达1300℃下制成的.利用RLVIP和RDCMS方法在未加热基片上生长高密度、高稳定性的薄膜
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<正> Si_3N_4和AlN薄膜被广泛应用于微电子和光学领域,它们大多是利用CVD方法在基片温度高达1300℃下制成的.利用RLVIP和RDCMS方法在未加热基片上生长高密度、高稳定性的薄膜被证明是有效的.RLVIP的主要特点是用低能电子来部分活化,分解和电离工作气体、反应气体和蒸发材料的硅、铝、氩、氮,其相互作用截面很大.自偏的基片势和坩埚阳极的斥力使成膜的粒子有相对较高的平均能量,从而使膜的附着性增强而孔隙减少.为比较,Si_3N_4和AlN也用RDCMS方法制成,在这种方法中,纯硅和纯
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