低功率消耗、响应快速的SOI基可变光学衰减器

来源 :光电子·激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ll05

【摘要】

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采用绝缘体上Si(SOI)材料制作了马赫-曾德干涉型(MZI)SOI热光可变光学衰减器(VOA),利用隔热槽有效降低器件的功率消耗,提高响应速度.在1 510～1 610 nm波长范围内动态调节范围

【作者】

：

贺月娇方青辛红丽陈鹏李芳刘育梁

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

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光电子·激光

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

功率消耗衰减器光学可变 SOI 响应速度马赫-曾德调节范围波长范围调制深度插入损耗响应时间干涉型绝缘体器件隔热 Attenuation

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采用绝缘体上Si(SOI)材料制作了马赫-曾德干涉型(MZI)SOI热光可变光学衰减器(VOA),利用隔热槽有效降低器件的功率消耗,提高响应速度.在1 510～1 610 nm波长范围内动态调节范围可达到0～29 dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响.最大衰减(29 dB)时功率消耗由360 mW降低为130 mW,器件响应速度提高1倍,响应时间由大于100 μs降为小于50 μs.

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