【摘 要】
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文中介绍了一种新型的RF MEMS可调帯阻滤波器。该滤波器是通过在共面波导地结构上刻蚀出缺陷地结构,形成基本谐振单元;再通过加入RF MEMS开关,实现可调滤波器。分析了滤波器
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院、安徽省MEMS工程技术研究中心
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文中介绍了一种新型的RF MEMS可调帯阻滤波器。该滤波器是通过在共面波导地结构上刻蚀出缺陷地结构,形成基本谐振单元;再通过加入RF MEMS开关,实现可调滤波器。分析了滤波器的结构参数和RF MEMS开关与竖向槽的关系。可调帯阻滤波器制作在高阻硅（εr=11.9）基板上,厚度为460μm;表面金属材料为铝,厚度为2μm。该滤波器实现了14-18 GHz可调,可调范围约为30%;中心频点处对应的回波损耗大于-2 d B,插入损耗小于-35 d B;10 d B带宽大于8.6 GHz。
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