γ射线作用下氧化铪基MOS结构总剂量效应研究

来源 :强激光与粒子束 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dellson

【摘要】

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使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在60Coγ射线辐照前后的电容-电压特性,使用原

【作者】

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丁曼

【机构】

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河海大学能源与电气学院

【出处】

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强激光与粒子束

【发表日期】

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2019年6期

【关键词】

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氧化铪金属-氧化物-半导体器件伽马射线电离总剂量效应

【基金项目】

：

国家自然科学基金青年基金项目(51507049)

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使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在60Coγ射线辐照前后的电容-电压特性,使用原子力显微镜得到了HfO2薄膜在辐照前后的表面微观形貌,使用X射线光电子能谱方法测量得到了HfO2薄膜在辐照前后的化学结构变化。研究发现,使用原子层淀积方法制备的HfO2薄膜表面质量较高;γ射线辐照在HfO2栅介质中产生了数量级为1012cm^-2的负的氧化层陷阱电荷;HfO2薄膜符合化学计量比,介质内部主要的缺陷

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