论文部分内容阅读
用能量是100kev，剂量为10^13cm的Zn离子，注入到n-GaP单晶补氏所制做的光电探测器，它对波长为380nm-440nm的光具有敏感性。利用俄歇能谱（AES）和x光电子能谱（ESCA），对注入剖面的杂质分布进行了研究。结果表明，注入的Zn离子，它的2p3/2电子的结合能是1021.lev，比它的标准值低0．4ev,由测试结果给出了这种光电探测器的最大量子效率是34％。