某些Ⅲ,Ⅴ族元素在锗、硅中的相互作用

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研究了以锗、硅为基的固溶体中,铝、锑、磷的行为。在分析Ce-Al-Sb,Ge-Al-P,Si-Al-P系统时,发现在假二元Ge-AlSb,Ge-AlP,Si-AlP截面上,上述元素有最大的共同溶解度。在研究锗、硅固溶体中,掺杂元素组分与微硬度、电阻率的关系时,获得的结果是在相应上述假二元截面上,出现最小值和最大值。而温差电动势则在该截面改变符号。在Si-Al-Sb系中,微硬度的最小值,电阻率的最大值都不很明显。从试验结果,可以认为Ge-Al-Sb,Ge-Al-P,Si-Al-P系,铝、锑和铝、磷在锗、硅固溶体中相互作用。在一定程度上组成了锑化铝、磷化铝。而Si-Al-Sb系,则是由于AlSb在硅溶液中有离解作用,因而具有另外的特性。 The behavior of aluminum, antimony and phosphorus in germanium and silicon-based solid solution was studied. In the analysis of Ce-Al-Sb, Ge-Al-P and Si-Al-P systems, it has been found that these elements have the greatest common solubility in the pseudo-binary Ge-AlSb, Ge-AlP, Si- In the study of germanium, silicon solid solution, the doping element composition and microhardness, the relationship between resistivity, the results obtained in the corresponding pseudo-binary cross-section, the minimum and maximum. The temperature difference EMF in the cross section to change the symbol. In the Si-Al-Sb system, the minimum microhardness, the maximum resistivity are not very clear. From the experimental results, it can be considered that the Ge-Al-Sb, Ge-Al-P, Si-Al-P systems, aluminum, antimony and aluminum and phosphorus interact with each other in the germanium and the silicon solid solution. To a certain extent, the composition of aluminum antimonide, aluminum phosphide. The Si-Al-Sb system, however, is due to AlSb dissociation in the silicon solution and therefore has additional properties.
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