InP HBT/Si CMOS 13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tlihao

【摘要】

：

<正>南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InP HBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成,突破了InPHBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设

【作者】

：

吴立枢程伟张有涛王元李晓鹏陈堂胜

【机构】

：

南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

异构集成 HBT InP HBT/Si CMOS 13 GSps 1

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<正>南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InP HBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成,突破了InPHBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术,研制出13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片,如图1所示,共包含453个0.7μm InP HBT器件与1036个0.18μm Si MOSFET器件。表1展示了不同工艺的量化降速电路性能的比较,可以看出本文报道的异构

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