溅射时间对γ′-Fe<sub>4</sub>N薄膜的磁性影响

来源 :长春大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nisshei5zd

【摘要】

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采用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体(N2/(Ar+N2)=10%),在玻璃衬底上于不同溅射时间获得了γ′-Fe4N单相薄膜。利用X射线衍射(XRD)和超导量子干涉仪(SQUID)研究了溅射

【作者】

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支文宫杰

【机构】

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长春大学理学院,长春大学理学院吉林长春130022,吉林长春130022

【出处】

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长春大学学报

【发表日期】

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2007年8期

【关键词】

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γ-′Fe4N薄膜饱和磁化强度矫顽力

【基金项目】

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吉林省科技厅科技基金资助项目(10647104)

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采用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体(N2/(Ar+N2)=10%),在玻璃衬底上于不同溅射时间获得了γ′-Fe4N单相薄膜。利用X射线衍射(XRD)和超导量子干涉仪(SQUID)研究了溅射时间对薄膜的生长及磁性性能的影响。结果表明薄膜样品明显沿γ′-Fe4N(111)晶面择优取向进行生长,其(111)晶面平行于样品的膜面。随溅射时间的增加,薄膜样品的晶粒尺寸没有明显的变化,薄膜厚度和矫顽力随溅射时间的增加而显著增大。

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