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本文报道用真空蒸发制备含氧硅薄膜的技术，研究了衬底温度对薄膜结构和组分的影响。实验发现在真空为５×１０＾－３Ｐａ，衬底温度在２８０－４８０℃范围内，随着温度的提高，薄膜由非晶，转化为纳米晶体，再转化为多晶，氧含量也随着温度的提高而增加，这可能是由硅在生长表面迁移率的增加和氧化速率的提高所致。
衬底温度对纳米Si—SiOx薄膜的结构和组分的影响
【摘 要】
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本文报道用真空蒸发制备含氧硅薄膜的技术，研究了衬底温度对薄膜结构和组分的影响。实验发现在真空为５×１０＾－３Ｐａ，衬底温度在２８０－４８０℃范围内，随着温度的提高，薄膜由非晶，转化为纳米晶体，再转化
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年12期
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