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用于红外探测的铱硅化物的X射线光电子能谱
用于红外探测的铱硅化物的X射线光电子能谱
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiexiangjun
【摘 要】
:
用X射线光电子能谱方法测量了铱硅化物的芯能级谱。得到了与化学键有关的化学多和芯能级对称性变化方面的信息,提出了在IrSi/Si肖特基势垒形成机理与界面外IrSi和Si原子的化学键密切相关本文
【作 者】
:
郝建华
赵兴荣
【机 构】
:
华中理工大学
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
1996年4期
【关键词】
:
铱硅化物
X射线
光电子能谱
红外探测
s:Semiconductor Materials
Schottky Barrier
Iridium Silicide
【基金项目】
:
国家自然科学基金
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用X射线光电子能谱方法测量了铱硅化物的芯能级谱。得到了与化学键有关的化学多和芯能级对称性变化方面的信息,提出了在IrSi/Si肖特基势垒形成机理与界面外IrSi和Si原子的化学键密切相关本文结果有益于解用铱硅化物肖特基势垒制备红外探测器。
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