MOS晶体管的阈值电压不匹配特性

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集成电路中器件的匹舀己.陛对于模拟电路和数字电路的设计有着很重要的影响,而现在重要的是还缺乏精确的器件匹配的模型。在模拟集成电路设计中,MOS管阈值电压的匹配特性对集成电路尤其是电流Ids的大小有着重要的影响。基于短沟道系列模型,MOS氧化层中的固定电荷和杂质原子服从泊松分布,分析了NMOS和PMOS器件不匹配的物理原因,并验证σVT√VT遵循与1√area成比例的结论。
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