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意法半导体(ST)新功率MOSFET实现近乎完美的开关性能
意法半导体(ST)新功率MOSFET实现近乎完美的开关性能
来源 :电子设计工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sxq5588
【摘 要】
:
意法半导体MDmesh?M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员,新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案,在低负载备件下
【出 处】
:
电子设计工程
【发表日期】
:
2015年19期
【关键词】
:
功率MOSFETs
意法半导体
开关性能
消费电子产品
开关式电源
节能效果
笔记本电脑
电信设备
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意法半导体MDmesh?M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员,新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案,在低负载备件下的节能效果尤为显著,让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源,同时轻松达到日益严格的能效目标要求。
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