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使用真空热蒸发方法，制备了结构为ITO／TPD／Alq2／LiF／Al的有机发光二极管，其中LiF用作阴极注入层，LiF超薄层的加入，增强了电子注入，降低了启亮电压，提高了器件的发光效率和亮度．实验结果表明：当加入LiF层的厚度为0．5nm时，器件性能的改善最好，和不含LiF的器件相比，启亮电压由原来的9V降低到5V，效率由1．5cd／A增加到3．3cd／A，提高了近1倍，然而随着加入LiF层厚度的增加，器件性能的改善效果降低．