【摘 要】
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用ZnO陶瓷靶,采用脉冲激光沉积（PLD）技术在c-Al2O3衬底上制备了ZnO薄膜。通过不同温度下光致发光（PL）光谱的测量,对样品的紫外发光机理进行研究。在较低温度（10 K）下的PL光谱中,观
【机 构】
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深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室,华南师范大学光电子材料与技术研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金（60976036）, 深圳市科技计划项目, 深圳市特种功能材料重点实验室开放基金（T201109,T201101）资助项目
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用ZnO陶瓷靶,采用脉冲激光沉积（PLD）技术在c-Al2O3衬底上制备了ZnO薄膜。通过不同温度下光致发光（PL）光谱的测量,对样品的紫外发光机理进行研究。在较低温度（10 K）下的PL光谱中,观测到一个位于3.354 eV处的束缚激子（D0X）发射,随着温度的升高（～50 K）,在D0X的高能侧观测到了自由激子的发射峰。在10 K温度下,3.309 eV处出现了一个较强的发光带A,此发光带强度随着温度升高先增大然后减小,并且一直延续到室温。重点讨论了此发光带的起源,并认为A带可归属于自由电子-受主之间
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