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采用磁控溅射方法制备了基片/Ta/NiFe（Ⅰ）/FeMn（Ⅰ）/NiFe（Ⅰ）/FeMn（Ⅰ）/Ta系列样品。实验发现,如果只是NiFe/FeMn交换偏置双层膜,在FeMn厚度大于3.5nm时才产生交换偏置。由于与NiFe之间的交换作用,即使2nm厚的FeMn（Ⅰ）也可以对NiFe（Ⅰ）产生交换偏置。结果表明,可以通过铁磁/反铁磁的交换耦合作用来增强反铁磁FeMn的稳定性。