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衬底温度对射频磁控溅射制备ZnO薄膜结构的影响
衬底温度对射频磁控溅射制备ZnO薄膜结构的影响
来源 :天津理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tang355402
【摘 要】
:
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同衬底温度下制备薄膜的相结构和表面形貌进行分析.结果表明,在衬底温度为400℃时制备的ZnO
【作 者】
:
付长凤
陈希明
韩连福
【机 构】
:
天津理工大学电子信息与通信工程学院,大庆石油学院数学科学与技术学院,天津理工大学自动化学院,大庆石油学院电子科学与技术学院
【出 处】
:
天津理工大学学报
【发表日期】
:
2008年4期
【关键词】
:
ZNO薄膜
射频磁控溅射
衬底温度
ZnO thin film
RF magnetron sputtering
substrate temperature
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采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同衬底温度下制备薄膜的相结构和表面形貌进行分析.结果表明,在衬底温度为400℃时制备的ZnO薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,结构致密,且沿c轴择优生长.
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