半导体断路开关实验研究

来源 :强激光与粒子束 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xie_e

【摘要】

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介绍了半导体断路开关(SOS)特性参数测试平台和测试方法,并对半导体断路开关的截断阻抗、截断时间、电压增益、输出脉冲半高宽以及能量传递效率等参数进行了实验研究.结果表

【作者】

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苏建仓丁永忠宋志敏丁臻捷刘国治刘纯亮

【机构】

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西安交通大学,西北核技术研究所,西安交通大学

【出处】

：

强激光与粒子束

【发表日期】

：

2002年6期

【关键词】

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半导体断路开关脉冲功率能量传递效率脉冲功率技术 semiconductor opening switch pulsed power energy tran

【基金项目】

：

国家高技术研究发展计划(863计划)

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介绍了半导体断路开关(SOS)特性参数测试平台和测试方法,并对半导体断路开关的截断阻抗、截断时间、电压增益、输出脉冲半高宽以及能量传递效率等参数进行了实验研究.结果表明,正、反向泵浦时间是影响半导体断路开关特性的最主要因素.实验获得了截断时间、电压增益和能量传递效率与正、反向泵浦时间的依赖关系以及SOS截断过程中的阻抗变化特性.

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