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采用化学气相沉积（CVD）法，在SiC纤维表面沉积了100nm厚的C涂层，研究了制备温度对c涂层微观结构、单丝纤维体电导率及纤维编制体介电性能的影响。采用SEM和RAM显微技术（Raman microscopy）对C涂层的表面形貌和微观结构进行分析。结果表明：保持C涂层厚度一致，当沉积温度由800℃升到900℃后，C涂层的石墨化程度提高，晶粒变大，SiC纤维单丝体电导率由0．745Ω^-1·cm^-1升到6．289Ω^-1·cm^-1；SiC纤维编制体的复介电常数实部由90升到132，