【摘 要】
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随着集成电路(IC)特征尺寸的缩小,CMOS微电子器件发热功率密度急剧增加,相应热能在不同薄膜层内传输.为了助力IC芯片封装热管理及MEMS热学芯片的设计与优化,CMOS-MEMS薄膜热导率的测量尤为重要,然而现有技术很难在芯片实际工作中进行原位热导率测量.近期深圳大学许威助理教授联合香港科技大学LEE教授团队设计了一种巧妙的MEMS结构,提出了一种新的测量方案,可以有效复现芯片工作中薄膜热导率的测量.
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随着集成电路(IC)特征尺寸的缩小,CMOS微电子器件发热功率密度急剧增加,相应热能在不同薄膜层内传输.为了助力IC芯片封装热管理及MEMS热学芯片的设计与优化,CMOS-MEMS薄膜热导率的测量尤为重要,然而现有技术很难在芯片实际工作中进行原位热导率测量.近期深圳大学许威助理教授联合香港科技大学LEE教授团队设计了一种巧妙的MEMS结构,提出了一种新的测量方案,可以有效复现芯片工作中薄膜热导率的测量.
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