栅驱动相关论文
设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low ......
凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合.传统......
期刊
目前,为了防止高dV/dt应用于桥式电路中的IGBT时产生瞬时集电极电流,设计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的IGBT.然而提供......
根据数码像机的工作原理和显示驱动电路的结构。应用硬件设计出数码像机显示驱动电路。实现数据驱动和图像的清晰显示，达到数码像机......
针对不同场合的TFT LCD显示屏，设计了一种工作模式可选的栅驱动芯片。芯片具有输出左移／右移控制、输入输出端口选择、输出模式选择......
叙述了绝缘栅双极晶体管的概况、特性及并联应用的栅驱动设计、均流、散热设计应考虑的问题。介绍了几种并联应用时采用的栅驱动电......
基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置.设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动......
根据TFT-LCD的工作原理和显示驱动电路的结构,应用硬件设计出小尺寸TFT-LCD的驱动电路,实现图像的清晰显示.介绍了硬件电路设计的......
半桥LLC谐振变换器因其效率高、结构简单、功率密度高等优点,广泛应用于对电源体积和效率敏感的系统中。然而,高频下的寄生效应使......
学位
在功率因数校正电路设计中，栅驱动电路需要有非常快的转换速度和低的功率消耗．为了满足这些要求，对传统的推挽输出电路做了修改，并利用......
增强型GaN HEMT器件的开关速度较现有硅基MOSFET有很大提高,导致硅基MOSFET栅驱动电路无法用于驱动增强型GaN HEMT器件。本文设计......
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分析薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)栅驱动芯片ASTLC5301A的原理,借助Pspice仿真工具进行驱动电路的设计,重点讨论芯片内部高低电平......
本文分析了栅驱动电路对功率MOSFET开关性能的影响，并结俣一电机伺服单元驱动电路的设计实例，说明了如何根据栅电荷曲线及抑制二极管......
由于氮化镓(Gallium nitride,GaN)功率器件在高开关速度和高击穿电压特性上得天独厚的优势,所以它在通信、汽车电子、雷达和无线充......
学位
设计了一种结构新颖、适用于各种同步整流结构的零死区栅驱动电路,并在全桥输出结构的D类放大器中对其可行性进行了验证。通过控制......
目前在高压大电流的应用领域上,IGBT有绝对的统治地位。主要原因是由于IGBT管结合了GTR和MOSFET二者的优点,具有开关速度快,耐压能......
当今社会,能源日益紧缺,为了响应国家节能减排的号召,电子领域也兴起了一股研究开发节能高效型电路结构的热潮。众所周知,传统的无......
