基于90nm CMOS工艺的60GHz射频接收前端电路设计

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设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路。该射频接收前端采用直接变频结构,将59~64 GHz的微波信号下变频至5~10 GHz的中频信号。射频前端包括一个四级低噪声放大器和电流注入式的吉尔伯特单平衡混频器。LNA设计中考虑了ESD的静电释放路径。后仿真表明,射频接收前端的转换增益为13.5~17.5 dB,双边带噪声因子为6.4~7.8 dB,输入1 dB压缩点为-23 dBm。电路在1.2 V电源电压下功耗仅为38.4 mW。该射频接收前端电路采用IBM 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.65 mm2。 Designed a RF receive front-end circuit for China’s 60 GHz standard band. The front end of the RF receiver adopts the direct conversion structure to downconvert 59 ~ 64 GHz microwave signal to 5 ~ 10 GHz IF signal. The RF front end includes a four-stage LNA and a current injection Gilbert single balanced mixer. The ESD release path is taken into account in the LNA design. The post-simulation shows that the conversion gain of the RF front-end is 13.5 ~ 17.5 dB, the double-sideband noise figure is 6.4 ~ 7.8 dB, and the input 1 dB compression point is -23 dBm. The circuit consumes only 38.4 mW at 1.2 V supply voltage. The RF receive front-end circuit using IBM 90 nm CMOS process design, the chip area of ​​0.65 mm2.
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