长脉宽激光硅片弯曲成形温度机制研究

来源 :大连理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pp084
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根据已开展的长脉冲激光弯曲硅片试验,利用Ansys仿真软件计算了硅片弯曲过程中温度场的分布形式,分析了长脉冲激光弯曲硅片的温度特点.计算结果表明,试验所用硅片在弯曲过程中存在较明显的温度振荡,同时在第一次扫描后半段出现脆性一塑性温度转变点,认为第1次扫描主要起预热硅片的作用,与试验过程中第1次扫描无明显弯曲现象相符.在随后的扫描过程中,根据上下表面温度差以及光斑直径与厚度的比例关系,说明弯曲现象的产生是温度梯度机制(TGM)和翘曲机制(BM)共同作用的结果,同时在分别对每次扫描前初始温度和扫描过程中最高温
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