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基于NAND型FLASH存储芯片,提出EGEP的高速大容量存储设计方案。并且设计坏块LIFO处理机制,减少坏块处理时间,提升存储速率。为避免坏块浪费资源,提出FIM容错机制;FIM容错机制通过预Flag读取页的块地址,在读取数据进入EGEP系统之前,先进行FIM处理,直接跳过坏块处理。此设计不仅减少CPU资源浪费,也大大降低坏块处理时间。通过与单片存储方案对比,EGEP存存储方案在存储速率方面提升66%,极大地提升了闪存存储速率。