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设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器（VCO），与传统的互补型交叉耦合对结构相比，该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高，从而降低了相位噪声．采用CSM0．25μm RFCMOS工艺设计，使用Cadence SpectreRF工具进行了仿真．仿真结果表明在2．5V的电源电压下，调谐范围为2．24～2．58GHz，达到了14．2％，相位噪声为-128dBc／m@1MHz，功耗为15mW．