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对应变AlxGa1-xN／GaN单异质结构，考虑理想界面异质结有限厚势垒，引入简化相干势近似计入三元混晶效应，利用变分法对流体静压力下体系中杂质态的结合能作了数值计算，并讨论了不同垒厚、杂质位置及组分对结合能的影响，且与无限厚势垒情形作了比较．结果表明：当垒厚、组分较小且沟道层中杂质位置靠近界面时，有限厚势垒杂质态的结合能明显大于无限厚势垒情形．