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采用射频磁控溅射法在Si（111）基片上沉积了MnZn铁氧体薄膜,用X射线衍射仪（XRD）分析薄膜的物相结构,用振动样品磁强计（VSM）测量薄膜面内饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc。结果表明：随着退火温度的升高,MnZn铁氧体薄膜的X射线衍射峰强度逐渐增强,且主峰逐渐由（311）峰变为（222）峰,沿（111）面取向生长明显。薄膜的饱和磁化强度和矫顽力均随着退火温度的升高而升高。