P型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：michellehb1

【摘要】

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采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明,掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明,掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔

【作者】

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季振国何振杰宋永梁

【机构】

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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2004年12期

【关键词】

：

SnO2 溶胶-凝胶法 p型导电

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采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明,掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明,掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔测量结果表明,空穴浓度与热处理温度有很大的关系,525℃为最佳热处理的温度.铟锡原子比在0.05-0.20范围内,空穴的浓度与In的含量有直接的关系,并随In含量的增加而增加.

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