体硅Double RESURF器件表面电场解析模型及优化设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Keldorn

【摘要】

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提出了体硅double RESURF器件的表面电场和电势的解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析表达式.借助此模型,研究了p-top区的结深,掺杂浓度

【作者】

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李琦李肇基张波

【机构】

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电子科技大学IC设计中心

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年7期

【关键词】

：

体硅 DOUBLE RESURF 表面电场优化设计 bulk-silicon double RESURF surface electrical field

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提出了体硅double RESURF器件的表面电场和电势的解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析表达式.借助此模型,研究了p-top区的结深,掺杂浓度和位置,漂移区的厚度和掺杂浓度,及衬底浓度对表面电场的影响;计算了漂移区长度,掺杂浓度和击穿电压的关系.从理论上揭示了获得最大击穿电压的条件.解析结果、验证结果和数值结果吻合良好.

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