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本文测量了硅的电化学特性，在此基础上进行了四电极系统Ｐ－Ｎ结自停止腐蚀研究．结果表明，对Ｐ－Ｎ结漏电大的样品也可实现自停止，克服了其他Ｐ－Ｎ结自停止腐蚀技术存在的不足，拓宽了其应用范围．对腐蚀样品的测试结果表明，其膜厚平均值为２１．７μｍ，与外延层厚相一致，成功地实现了腐蚀过程中的膜厚精密控制．研究还表明用这一技术进行多片同时自停止腐蚀是可行的．