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采用氧化物缓冲层，通过射频磁控溅射系统依次在n型Si（111）衬底上沉积Ga2O3／ZnO（Ga2O3／MgO）薄膜，然后将薄膜于950℃氨化合成GaN纳米结构，氨化时间为15min。采用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收谱（FTIR）和高分辨透射电镜（HRTEM）对样品的结构进行了分析，结果显示两种缓冲层下制备的样品均为六方纤锌矿单晶GaN纳米结构，且缓冲层的取向对纳米线的生长方向有很大影响；采用扫描电镜（SEM）对样品的形貌进行了测试，发现纳米线表面光滑，长度可达几十微米，表明采用氧化物缓冲层制备了