【摘 要】
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对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究.对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无法实现小宽长比.分别在0.35μm和0.18 μm工
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
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对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究.对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无法实现小宽长比.分别在0.35μm和0.18 μm工艺下进行流片测试,发现该计算模型的准确性较低,测试样品的宽长比最大偏差超过30％.针对b字形环栅结构的缺点,设计了8字形环栅结构,可实现小宽长比管和倒比管,宽长比的值易于预估,且几何尺寸与直栅结构相近.在0.18 μm工艺下进行流片验证.测试结果表明,8字形环栅管的饱和电流偏差值均在6％以内,宽长比预估值的准确性较高,能够非常方便地被应用于实际设计中.
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