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利用感应耦合等离子体（ICP）技术在Ar／SF6环境下对SiO2薄膜进行干法刻蚀。通过控制ICP功率、RF功率、反应压强和刻蚀气体比例，获得了较高的刻蚀速率（104nm／min），并对SiO2刻蚀速率随各参数的变化情况进行了讨论。
Ar/SF6环境下使用感应耦合等离子体刻蚀SiO2速率的研究
【摘 要】
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利用感应耦合等离子体（ICP）技术在Ar／SF6环境下对SiO2薄膜进行干法刻蚀。通过控制ICP功率、RF功率、反应压强和刻蚀气体比例，获得了较高的刻蚀速率（104nm／min），并对SiO2刻蚀速率随各
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
【出 处】
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科技风
【发表日期】
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2018年34期
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