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电感耦合等离子体（ICP）刻蚀是目前集成电路与微机电系统制造的关键工艺之一。利用一种改进的复合交替深刻蚀（TMDE）模型对ICP深反应离子刻蚀（Deep-RIE）进行了工艺仿真建模。根据深反应离子刻蚀中Footing效应的实验特征，提出了针对这一现象的表面描述方程，并借助实验手段确定了该表面描述方程中的参数，从而为模型添加了一种简单有效的Footing效应模拟模块。最后对Deep-RIE和Footing效应刻蚀表面进行模拟，验证了模型的有效性和可用性。