【摘 要】
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β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.
【机 构】
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）浙江理工大学物理系,）北京邮电大学理学院,）北京邮电大学
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61704153,51572241,61774019,51572033);北京市科委(批准号:SX2018-04)资助的课题~~
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β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga203材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga2O3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂的Ga2O3薄膜电导率可达到32.3 S/cm,透过率大于88%,但离商业化的透明导电电极还存在较大差距.在日盲紫外探测器应用方面,基于异质结结构的器件展现出更高的光响应度和更快的响应速度,ZnO/Ga2O3核/壳微米线的探测器综合性能最佳,在-6 V偏压下其对254 nm深紫外光的光响应度达1.3×103A/W,响应时间为20μs.
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