Ga2O3相关论文
纵观半导体在微电子领域的发展历史,带隙更宽的半导体材料逐渐备受青睐,而发展性能更为优异的半导体材料是必然选择。近年来,新型......
紫外光电探测器在军事与民用等多个方面具有广泛的应用,如导弹预警,空间通讯,火灾监测,高压电线路检测等。宽禁带半导体具有禁带宽......
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件，介绍了SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果：SiC材料对重离子辐照不......
宽禁带半导体在日盲紫外探测方向具有广阔而重要的前景,所以近年来,以Ga2O3为代表的第三代半导体成为人们研究和讨论的热点问题,其......
作为一种新型的半导体材料,Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质,在光电子、高功率以及高频器件研......
采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜设备在蓝宝石衬底上制备了Ga2 O3薄膜,研究了溅射功率和退火工艺对薄膜晶体结构、表面形貌和光......
The effect of Al3+coordination structure on the propane dehydrogenation activity of Pt/Ga/Al2O3 cata
The effect of the Al2O3 structure on the performance of Pt/Ga/Al2O3 catalysts is investigated for the direct dehydrogena......
目前,探测器的研究逐步进入到抗干扰能力更强的日盲紫外探测器时代,单斜结构的β-Ga2O3由于合适的带隙(Eg～4.9eV,对应波长为253 nm)......
The preparation of CeO2-Ga2O3 mixed oxide and the catalytic property for CO2 adsorption and hydrogen
CO2 capture and utilization have attracted a great attention worldwide.Ga2O3 has been confirmed to be an excellent suppo......
建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga2O3材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型，对Ga2O3材料的生长进行了数值模拟。......
第三代半导体材料具有禁带宽度大和击穿场强高等优点,因此在紫外探测和电力电子方面具有巨大的发展前景和研究意义。尤其是β-Ga2O......
丙烯是一种基础石油化工原料,在全球石油化工生产中占有重要地位.以丙烯为原料可生产许多石油化学品,如丙烯腈、环氧丙烷和聚丙烯......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
采用时域有限差分法计算β-Ga2O3/金属/β-Ga2O3叠层紫外透明导电薄膜的光学透过率,研究Ga2O3厚度、插入层材料及厚度对叠层透明导......
β-Ga2O3是一种宽禁带半导体材料(Eg=4.8 eV)。研究β-Ga2O3在高压(高应力)条件下的相稳定性和晶格动力学特性对其材料应用具有重......
电子结构和做 N 的 -Ga2O3 和 N-Zn 的光性质共同做 -Ga2O3 被第一原则的计算调查。在 N-Zn 共同做的 -Ga2O3 系统，格子参数一， b， c， ......
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采用浸渍法由凹凸棒石负载氧化镓(Ga2O3)制备了Ga2O3/凹凸棒石复合催化剂。用IR、XRD、BET、TEM对催化剂结构进行了表征,并通过肉......
实验以ZnO-Ga2O3混合粉体为原料,其中Ga2O3掺杂量为3 wt％。采用热压烧结法制备GZO靶材,通过XRD分析物相组成,SEM观察显微结构,......
β-Ga2O3作为宽禁带半导体氧化物,近年来在GaN基LED器件及功率器件取得了一定的进展.采用浮区法生长了质量较好的β-Ga2O3单晶......
光催化氧化技术已经被广泛应用到降解污水中有机污染物的处理中,同时低价态的氧化镓较之氧化钛表现出更强的氧化性能.通过简洁便捷......
Gallium oxide (Ga2O3) is a promising material for deep-ultraviolet (DUV) detection.In this work,Chlorin e6 (Ce6)has been......
长期以来Si在半导体应用中占据主要地位,但也面临着材料可扩展性和开发潜力的局限,另外随着芯片尺寸逐渐缩小,可能逼近摩尔定律极......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型超宽禁带半导体材料,相比于第三代半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)材料,具有能带更宽、临界击穿电场更......
氧化镓(Ga_2O_3)材料是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有4.8e V的超大的禁带宽度和8MV/cm的超高的理论击穿场强。同时,它的Balig......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种宽禁带的氧化物半导体材料,它是继Si C、Ga N后第三代半导体材料的新的一员。Ga_2O_3有着优异的光电特性,良......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型的宽禁带透明导电半导体,具有五种已知的同分异构体。Ga_2O_3因其4.4～5.3e V的超宽带隙、高击穿场强、大......
为开发适合制备ZGO靶材的超细β-Ga2O3纳米粉末,以金属镓、硝酸、盐酸、氨水为原料,对化学沉淀法制备纳米氧化镓粉末的过程进行了......
CO2 催化转化制取高附加值化工产品是最具市场潜力和应用前景的一条利用CO2的途径.Ga2O3是一种CO2吸收和转化的很好的材料[1-3......
RF performance evaluation of p-type NiO-pocket based β-Ga2O3/black phosphorous heterostructure MOSFE
The radio-frequency (RF) performance of the p-type NiO-pocket based β-Ga2O3/black phosphorous heterostructure MOSFET ha......
研究了Ga2O3,GeO2,P2O5对TeO2-BaCO3-SrCO3-Nb2O5(TBSN)玻璃体系拉曼光谱的展宽和平坦作用,结果显示,P2O5可扩展拉曼光谱的振动带,......
In this work, the field plate termination is studied for Ga2O3 Schottky barrier diodes (SBDs) by simulation. The influ-e......
Heterojunctions composed of β-Ga2O3 and ZnO films are fabricated on sapphire substrates by using the laser molecular be......
,Effect of temperature on photoresponse properties of solar-blind Schottky barrier diode photodetect
A solar-blind photodetector is fabricated on single crystal Ga2O3 based on vertical structure Schottky barrier diode.A C......
Gallium oxide (Ga2O3) thin films were deposited on a-Al2O3 (11(ˉ2)0) substrates by pulsed laser deposition (PLD) with d......
Solar-blind ultraviolet photodetectors have many advantages, such as low false alarm rates, the ability to detect weak s......
采用脉冲激光沉积技术在氧气氛中制备了Ｇａ２Ｏ３薄膜。Ｘ射线衍射表明薄膜属于β单斜晶系，薄膜的颗粒在纳米量级；原子力显微镜显示随着氧气压强......
GaN是一种优秀的宽带隙化合物半导体材料，具有宽的直接带隙，室温下禁带宽度为3.39eV；GaN具有强的原子键、高的热导性等性质以及强的热......
半导体照明进入通用照明需要的核心技术:Outlook:How achievable is 150 lm/W,1000-lm LED?我国GaN/LED器件五大技术路线中独缺β-......
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