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利用动态控制阳极短路的基本原理，提出了一种实现高速IGBT的新思路。该结构的关键是引入了一个常开型p-MOSFET，在IGBT导通时关断，不增加加导通损耗，而在器件关断过程中能阻阳极继续向漂移区注入少数载流子，同时为载流子阳极提供一条通道，使其快速关断。理论分析和模拟结果证明，该结构在击穿电压、导通损耗不变的情况下，能将关断时间减少75%以上。应用这样的结构只需增加两个分压比一定的分压电阻。新结构对驱动电路的要求与普通IGBT完全一致，是一种实用的高速IGBT结构。