808nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jklgfdjligjregjmreji

【摘要】

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设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs／GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器，其发射波长为808nm，腔长为900μm，条宽为100μm。其外延结构与通常的808nm AlGaAs／GaA

【作者】

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张素梅赵世舜石英学石家纬

【机构】

：

吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学数学学院

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

高功率远结单量子阱 ALGAAS/GAAS high-power remote junction single quantum well (SQW) AlG

【基金项目】

：

教育部博士点基金,吉林大学创新基金资助项目

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设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs／GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器，其发射波长为808nm，腔长为900μm，条宽为100μm。其外延结构与通常的808nm AlGaAs／GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同，在p-n结和有源区间多了一层0．3μm厚的P型Al0.3Ga0.7As下波导层。对研制的器件进行了电导数测试，结果显示，与常规AlGaAs／GaAs大功率半导体激光器相比，远结半导体激光器具有阈值电流偏大、导通电压偏高的直流特性。经4200h的恒流电老化结

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