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本文研究了ＳｉＨ４－Ｏ２体系ＬＰＣＶＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性＜±５％的结果。
SiH4—O2体系LPCVK SiO2薄膜的工艺及其应用
【摘 要】
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本文研究了ＳｉＨ４－Ｏ２体系ＬＰＣＶＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性＜±５％的结果。
【机 构】
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上海交通大学,上海硅材料厂
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1995年5期
【基金项目】
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浙江大学硅材料科学国家重点实验室资助
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