BaWO4掺杂对BMT陶瓷介电性能的影响

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采用传统电子陶瓷工艺合成了BaW04掺杂的Ba(Mg1/3Ta2s3)O3(BMT)微波介质陶瓷,研究了质量分数w(BaWO4)从2%~8%变化对BMT微波介质陶瓷结构和微波特性的影响。实验结果表明:添加少量的BaWO4能明显改善BMT陶瓷的烧结性能,当w(BaW04)=4%时,BMT陶瓷的烧结温度由纯相时的1650℃以上降至1400℃,其体积密度为7.562g/cm2,相对密度达到99%,同时BMT陶瓷体系获得了良好的微波性能:εr=26.7,Q·f=98THz(8GHz),τf=6.5
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